DMTH6010SPS-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMTH6010SPS-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.3648 |
5000+ | $0.3466 |
12500+ | $0.3336 |
25000+ | $0.3258 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerDI5060-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.6W (Ta), 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2841 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.1 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13.5A (Ta), 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMTH6010 |
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
DMTH6010SK3 DIODES
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
2024/03/25
2024/08/29
2024/02/22
2024/09/18
DMTH6010SPS-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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